位错环是指在晶体中出现的一种环状位错，其特征是由多个位错线组成的一个闭合回路。这些位错线可能是螺型位错或刃型位错，或者是它们的组合。
形成原理
位错环可以通过多种途径形成。其中一种常见的方式是通过弗兰克-瑞德位错增殖机制，这一过程中，位错环上的某些部分会表现为刃型位错，而其他部分则是螺型位错。此外，当位错在滑移面上移动并遇到第二相粒子时，也会形成位错环。在这种情况下，位错线会在粒子周围弯曲，最终形成一个环绕粒子的位错环。还有一种情况是在高温下，晶体中的空位聚集形成大空隙，随后空隙塌陷时会产生环形的刃位错线，也就是位错环。
特征
位错环具有一定的特性，通常由位错增殖或空位缺陷引起。它们可以在晶体的滑移面上滑移，也可以在晶体的平面上攀移。位错环的滑移会导致其大小的变化，而攀移则不会改变其形状。
应用
位错环在晶体学研究中具有重要意义，因为它们的存在可以作为一种强化机制，属于第二相强化。
参考资料
「材料课堂」位错的基本类型和特征.百家号.2024-10-24
重庆大学黄晓旭团队《Acta Materialia》:位错三维表征技术揭示位错环取向分布和偏转行为.搜狐网.2024-10-24
微观结构的认识:位错环.科学网-手机版.2024-10-24